次世代半導体の「万能下地」。どの材料が伸びても使える多能性中間膜

SiCやGaNなどの次世代半導体材料は、シリコン基板の上に重ねて使われることも多い。課題は、異なる結晶同士のずれだ。東京大学発のGaianixxは、その間に入ってひずみを吸収する「多能性中間膜」を開発。材料を選ばず、高品質な単結晶薄膜を形成できる技術と、幅広い市場への展開を狙う。

ASCII.jp 2026年08月31日 03:00

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